公司沿革

2008 年
                      
         通過 75/70 奈米 "微縮" 製程技術之 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證
                       六月         通過 75/70 奈米製程技術之 1Gb DDR3 DRAM 產品交貨認證

2007 年
                      
         二廠開幕典禮
                       五月         75/70 奈米技術開始試投片試產與 80 奈米技術開始導入
                       九月         公司一廠與二廠合併產能達到每月投片量12
                       九月         通過 80 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證

                    十一月         通過 75/70 奈米製程技術之 512Mb1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證

2006 年
                       一月         通過 90 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證
                      
三月         於台灣證券交易所掛牌上市
                       五月         於盧森堡證券交易所發行全球海外存託憑證 (GDS)
                       八月         一廠每月投片量達6萬2千片並全數轉換以90奈米技術投產
                       九月         通過 90 奈米製程技術之 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證
                       十月         二廠機器設備開始裝機

2005 年
                    
   五月         二廠動土
                    
   七月         一廠每月投片量達 5 4 千片
                       八月         一廠每月投片量達 6 萬片
                   
十一月         通過 90 奈米製程技術之 512Mb DDR1 DRAM 產品交貨認證

2004 年
                       四月         成功產出第一片 110 奈米製程技術之 256Mb DDR1 DRAM 晶圓
                    
   六月         總部大樓開幕典禮
                    
   七月         通過 110 奈米製程技術之 256Mb DDR1 DRAM 產品交貨認證
                    
   九月         通過 110 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證
                       十月         一廠每月投片量達 2 4 千片

2003 年         
                       一月         華亞科技份有限公司正式成立
                       十月 
        一廠完工
                    十二月         一廠機器設備開始裝機

2002 年
                       五月         南亞與英飛凌簽署白皮書
                       八月         華亞首座十二吋晶圓廠 (一廠) 開始動工
                    十一月         南亞和英飛凌簽訂合作開發及合作投資協議書
                    十二月         華亞總部動土典禮

 

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