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2010 年 二月 現金增資發行普通股 四月 開始50奈米製程技術之2G DDR3 DRAM產品量產
2009 年 八月 於盧森堡證券交易所發行全球海外存託憑證 (GDS) 九月 開始進行50奈米堆疊式製程技術試產 2008 年
三月
通過 70 奈米 "微縮" 製程技術之 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證 六月 通過 70 奈米製程技術之 1Gb DDR3 DRAM 產品交貨認證 十一月 美光科技於 2008 年 11 月 26 日完成向德國奇夢達公司取得華亞科技35.5%的股權移轉
2007 年
三月 二廠開幕典禮 五月 70 奈米技術開始試投片試產與 80 奈米技術開始導入 九月 公司一廠與二廠合併產能達到每月投片量12萬片 九月 通過 80 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證 十一月 通過 70 奈米製程技術之 512Mb 與 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證
一月 通過 90 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證 三月 於台灣證券交易所掛牌上市 五月 於盧森堡證券交易所發行全球海外存託憑證 (GDS) 八月 一廠每月投片量達6萬2千片並全數轉換以90奈米技術投產 九月 通過 90 奈米製程技術之 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證 十月 二廠機器設備開始裝機
2005 年
五月 二廠動土 七月 一廠每月投片量達 5 萬 4 千片 八月 一廠每月投片量達 6 萬片 十一月 通過 90 奈米製程技術之 512Mb DDR1 DRAM 產品交貨認證
2004 年 四月 成功產出第一片 110 奈米製程技術之 256Mb DDR1 DRAM 晶圓 六月 總部大樓開幕典禮 七月 通過 110 奈米製程技術之 256Mb DDR1 DRAM 產品交貨認證 九月 通過 110 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證 十月 一廠每月投片量達 2 萬 4 千片
2003 年 一月 華亞科技份有限公司正式成立 十月 一廠完工 十二月 一廠機器設備開始裝機
2002 年 五月 南亞與英飛凌簽署白皮書 八月 華亞首座十二吋晶圓廠 (一廠) 開始動工 十一月 南亞和英飛凌簽訂合作開發及合作投資協議書 十二月 華亞總部動土典禮
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