公司沿革 列印  搜尋 2008 年                        三月         通過 75/70 奈米 "微縮" 製程技術之 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證                        六月         通過 75/70 奈米製程技術之 1Gb DDR3 DRAM 產品交貨認證 2007 年                        三月         二廠開幕典禮                        五月         75/70 奈米技術開始試投片試產與 80 奈米技術開始導入                        九月         公司一廠與二廠合併產能達到每月投片量12萬片                        九月         通過 80 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證                     十一月         通過 75/70 奈米製程技術之 512Mb 與 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證 2006 年                        一月         通過 90 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證                        三月         於台灣證券交易所掛牌上市                        五月         於盧森堡證券交易所發行全球海外存託憑證 (GDS)                        八月         一廠每月投片量達6萬2千片並全數轉換以90奈米技術投產                        九月         通過 90 奈米製程技術之 1Gb DDR2 DRAM 產品交貨認證                        十月         二廠機器設備開始裝機 2005 年                         五月         二廠動土                        七月         一廠每月投片量達 5 萬 4 千片                        八月         一廠每月投片量達 6 萬片                     十一月         通過 90 奈米製程技術之 512Mb DDR1 DRAM 產品交貨認證 2004 年                        四月         成功產出第一片 110 奈米製程技術之 256Mb DDR1 DRAM 晶圓                        六月         總部大樓開幕典禮                        七月         通過 110 奈米製程技術之 256Mb DDR1 DRAM 產品交貨認證                        九月         通過 110 奈米製程技術之 512Mb DDR2 DRAM 產品交貨認證                        十月         一廠每月投片量達 2 萬 4 千片 2003 年                                 一月         華亞科技份有限公司正式成立                        十月         一廠完工                     十二月         一廠機器設備開始裝機 2002 年                        五月         南亞與英飛凌簽署白皮書                        八月         華亞首座十二吋晶圓廠 (一廠) 開始動工                     十一月         南亞和英飛凌簽訂合作開發及合作投資協議書                     十二月         華亞總部動土典禮